解説記事:「低エネルギー電子顕微鏡による結晶成長のその場観察」

カテゴリ:研究業績 

10/31/2015

「低エネルギー電子顕微鏡による結晶成長のその場観察」

低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)は,表面の動的過程のその場観察に優れた手法で,様々な表面現象の解明に応用されてきた.本稿では、LEEMが結晶成長過程の解明にいかに有効であるかを示す目的で、筆者らのLEEMを用いた研究から、Si(111)表面でのC60成長、Si(111)√3×√3-B表面上でのSi双晶エピタキシャル成長,SiC表面上のグラフェン成長に関する結果を説明した.

 

日比野浩樹, 日本結晶成長学会誌 42(3), 225-231, (2015年10月)

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