「低エネルギー電子顕微鏡による結晶成長のその場観察」
低エネルギー電子顕微鏡（LEEM）は，表面の動的過程のその場観察に優れた手法で，様々な表面現象の解明に応用されてきた．本稿では、LEEMが結晶成長過程の解明にいかに有効であるかを示す目的で、筆者らのLEEMを用いた研究から、Si(111)表面でのC60成長、Si(111)√3×√3-B表面上でのSi双晶エピタキシャル成長，SiC表面上のグラフェン成長に関する結果を説明した．
日比野浩樹, 日本結晶成長学会誌 42(3), 225-231, (2015年10月)
