卒業生の大川貴代さんの論文がMaterials Science Forumに掲載されました。タイトルは、”Annealing Behavior of Electrical Resistivities Perpendicular and Parallel to the Basal Plane of Heavily Nitrogen-Doped 4H-SiC Crystals”です。
卒業生の大川貴代さんの論文がMaterials Science Forumに掲載されました。タイトルは、”Annealing Behavior of Electrical Resistivities Perpendicular and Parallel to the Basal Plane of Heavily Nitrogen-Doped 4H-SiC Crystals”です。
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