卒業生の塩浦健太郎君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました（品川直登君、伊澤卓人君が共著者です）。タイトルは、”Structural characterization of the grown crystal/seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals using Raman microscopy and x-ray topography”です。

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.03.015