卒業生の谷口智郷さん、一村愛子さんの論文がMaterials Science Forumに掲載されました。タイトルは、”Temperature dependent stability of stacking fault in highly nitrogen-doped 4H-SiC crystals”です。
卒業生の谷口智郷さん、一村愛子さんの論文がMaterials Science Forumに掲載されました。タイトルは、”Temperature dependent stability of stacking fault in highly nitrogen-doped 4H-SiC crystals”です。
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