教授紹介

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大谷 昇 Noboru Ohtani

職名:教授

 

研究室住所:

〒669-1337 兵庫県三田市学園2-1 Ⅶ号館2F

 

研究分野・キーワード:エネルギー半導体、ワイドギャップ半導体、結晶成長、結晶欠陥

 

メールアドレス:ohtani.noboru★kwansei.ac.jp

(★を@に置き換えてください)

 

自己紹介:企業→英国の大学→企業→日本の大学と、一貫して半導体材料・プロセス・デバイスに携わってきました。研究開発・製造・研究企画・営業と職種も色々と経験しました。直近の20年+αは、ワイドギャップ半導体であるシリコンカーバイド(SiC)に携わっています。革新的な省エネルギー技術であるSiCの実用化・普及を通して、持続可能な社会の構築に貢献したいと思っております。

 

主な研究テーマ

  • SiC半導体単結晶の結晶成長
  • SiC半導体単結晶の欠陥物理学

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