メンバー
スタッフ
学生
学年 |
名前 |
研究テーマ |
D3 |
戸田 晃平 |
物理的気相輸送法による基底面転位を低減した4H-SiC高窒素ドープ層の形成 |
M2 |
苫名 航 |
レーザー加工を施したSi 基板上へのMBE法を用いたGaAsへテロエピタキシャル成長における多結晶形成の抑制 |
M2
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北奥 航大 |
近接昇華エッチング法を用いた4H-SiC表面ステップ分解機構の観察 |
M2 |
桐谷 和弥 |
非接触SiCウェハ表面改質プロセスを用いたCMP加工代替技術の開発 |
M2 |
田中 達也 |
ラマン分光法を用いた6インチSiCバルクウェハ内の歪み解析 |
M2 |
津名 龍一郎 |
半絶縁性AlN基板の横方向破壊電界の評価 |
M2 |
丁 世胤 |
4H-SiCバルクウエハ内の高密度欠陥領域におけるエピタキシャル成長層の結晶欠陥観察 |
M2 |
松野 大樹 |
ヘテロエピタキシャル成長時の安定化ファセット面の形成と転位伝播方位の観察 |
M1 |
石村 太一 |
4H-SiCバルクウェハの残留加工歪みに依存したフォトルミネッセンスの励起スペクトル観察 |
M1 |
伊藤 駿 |
AlN-SiC熱平衡環境を用いて4H-SiC(0001)基板に形成されるファセットの熱的安定性 |
M1 |
奥田 風輝 |
熱昇華エッチングを用いた4H-SiC(0001)4ºオフ基板表面でのマクロステップ分解機構の観察 |
M1 |
近藤 晴土 |
6inch 4H-SiCウェハに残存する機械加工由来の歪み分布とエピタキシャル成長時に形成される積層欠陥密度分布との比較 |
M1 |
前嶋 彩花 |
4H-SiC(0001)4ºオフ基板表面に形成された巨大ファセット構造の破壊とミクロステップ配列への再安定化 |
B4 |
江藤 奨記 |
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B4 |
小椋 智矢 |
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B4 |
岸本 理央 |
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B4 |
田中 幸介 |
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B4 |
田中 響貴 |
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B4 |
前田 理玖 |
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