研究内容

窒化物半導体電子デバイスの極限性能の追求

本研究室では、窒化物半導体を用いた電子デバイスの設計、試作、評価に関する研究を推進します。窒化物半導体は、次世代パワーエレクトロニクス応用に必須の低損失かつ大電力のパワーデバイス用材料として注目されています。また、この半導体は高周波特性にも優れるため、5G/6G無線通信用の高周波トランジスタとしても期待されています。

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