IEICE Electronics Express に以下の論文が掲載されました。縦型GaNパワーデバイスの終端構造設計にトポロジー最適化を適用し、パラメータ最適化よりも優れた構造を導出できることを確認しました。大同大学との共同研究成果です。

“Topology Optimization of JTE Structure in Vertical GaN Power Devices,” Katsuya Nomura, Takuma Yamaguchi, Yoshiyuki Hattori

https://doi.org/10.1587/elex.23.20260075