卒業生の淀美香子さんの論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました（中井朝陽君、田村駿伍君が共著者です）。タイトルは、”Seed surface orientation dependence of the defect formation at the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals”です。

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126856