卒業生の北原昂紀君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました（卒業生の岡野ひろ乃さん、産総研の先﨑純寿博士が共著者です）。タイトルは、”Local carrier concentration variations due to partial dislocations associated with stacking faults in 4H–SiC homoepitaxial layers”です。

https://doi.org/10.1063/5.0274898