卒業生の横本海斗君、塩浦健太郎君の論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました（藪雅博君、中野正隆君が共著者です）。タイトルは、”Novel characterization method for the nitrogen doping concentration in heavily nitrogen-doped 4H-SiC crystals by Raman scattering microscopy”です。

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab8758