M2の田邉一義さんが2025年9月に韓国・釜山で開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM2025)で招待講演（Invited Poster）を行いました。講演のタイトルは「Possible interaction between basal plane dislocations and point defects in physical vapor transport grown 4H-SiC crystals」です。https://www.ecscrm-2020.com/invited-posters