【受賞】令和３年度科学技術分野の文部科学大臣表彰若手科学者賞
尾崎壽紀准教授が、令和３年度科学技術分野の文部科学大臣表彰若手科学者賞を受賞しました。
受賞題目：イオン照射を利用した超伝導体の高特性化に関する研究
〈業績〉
超伝導材料を用いた応用のためには、超伝導体内に結晶欠陥などをナノサイズで導入し、磁束の運動を抑制することで臨界電流密度Jc(抵抗ゼロで流すことのできる最大の電流値)を向上させる必要がある。しかしながら、欠陥を導入すると結晶格子が壊れ超伝導転移温度Tcが低下してしまう。そのため、Tcの低下を抑えつつJcを上昇させる欠陥をデザインする必要がある。
氏は、従来主流であった、数百MeV以上の高エネルギー重イオン照射に代え、軽い水素イオンを低いエネルギーで照射することにより、結晶中に短冊状の欠陥とその周りに格子歪を生じさせ、TcとJcの両方を向上させることに成功した。
本研究成果は、実用的な小型加速器を用いて、比較的容易に結晶欠陥を制御でき、また放射化の可能性が低いため、超伝導材料の産業応用や新たな機能開拓のための新機軸と期待される。
・文部科学省の関係ホームページ：
https://www.mext.go.jp/b_menu/houdou/mext_00547.html
・関西学院大学＜ニュース＞
https://www.kwansei.ac.jp/news/detail/4300
