韓国・釜山で開催されたInternational Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2025 (ICSCRM2025, 9/14–9/19)において、大谷研究室の田邉一義さん(修士課程2回生)が、「Possible interaction between basal plane dislocations and point defects in physical vapor transport grown 4H-SiC crystals」の発表に対し、The John Palmour Best Poster Student Awardを受賞しました。