省エネ半導体の材料物性・デバイス特性を、シミュレーションで理解・予測・設計
人工知能や電気自動車の普及とともに、情報処理や電力変換を効率的に行う半導体デバイスの重要性がますます高まっています。当研究室では、このような省エネルギー半導体に向けた、新たな半導体材料・デバイス構造を対象に、電子状態やキャリア輸送現象のシミュレーションの研究を行っています。特に、炭化ケイ素（SiC）などのワイドギャップ半導体や、ナノシート構造などの半導体微細構造における、電子物性・デバイス特性を理論的に解析します。シミュレーションによる、複雑な現象の理解や定量的な予測、そのための物理モデルの構築や計算手法の開発に加え、これらに基づく新しいデバイスの提案も目指します。
