2023年1月15-19日に米国・ロサンゼルスで開催された48th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-48)にて細井が以下の招待講演を行いました。
“Challenges in SiO2/SiC interface engineering for SiC power MOSFETs”
T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe


2023年1月15-19日に米国・ロサンゼルスで開催された48th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-48)にて細井が以下の招待講演を行いました。
“Challenges in SiO2/SiC interface engineering for SiC power MOSFETs”
T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
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