Applied Physics Expressに論文が掲載されました。神戸大学・小野研究室との共同研究の成果で、SiO2/SiC界面の原子レベルステップがSiC MOSFETの反転層可動電子密度減少につながること、NO窒化処理によりその影響を緩和できることを報告しています。
“Density functional theory study on the effect of NO annealing for SiC(0001) surface with atomic-scale steps,”
Mitsuharu Uemoto, Nahoto Funaki, Kazuma Yokota, Takuji Hosoi, and Tomoya Ono
Applied Physics Express, vol.17(1), 011009 (2024).
