| M2 |
小原 太一 |
単結晶AlN(0001)の熱エッチング後表面の観察 |
| M2 |
籠谷 紘平 |
SiC貫通加工基板を用いた準安定溶媒液相成長法による転位密度の低減 |
| M2 |
北口 翔一 |
GaAs自然酸化膜へのパルスレーザー直接描画による微細マスクパターン作製 |
| M2 |
佐々木 淳 |
物理的気相輸送法による4H-SiC低オフ角基板上でのステップフロー成長モードの観察 |
| M2 |
戸田 晃平 |
成長前後の表面形状制御による4H-SiC高窒素ドープ層でのBPD転位変換機能の検証 |
| M2 |
中川 諒一 |
物理的気相輸送法を用いた4H-SiC基板C面上でのAl添加によるステップバンチングの観察 |
| M2 |
松嶋 啓太 |
スライス加工後4H-SiC基板への熱エッチングを用いた巨視的な表面平坦化効果の検証 |
| M1 |
小津 有詩 |
温度変調制御による昇華法を用いたAlN/SiC ヘテロ成長界面の制御 |
| M1 |
団迫 大地 |
偏光顕微鏡法を用いた単結晶 SiC ウェハ内の歪み領域の検出と薄膜成長後に現れる結晶欠陥の観察 |
| M1 |
成瀬 二毅 |
4HSiC(0001) 溶液成長表面に現れるマクロ ステップ形状の温度依存性 |
| M1 |
牧 瑞穂 |
物理的気相輸送法を用いた4H-SiC薄膜成長における成長機構の解明と窒素添加効果 |
| B4 |
角谷 大智 |
4H-SiCオフ基板の粗加工表面に対する昇華エッチングにおける研削方位に依存した表面形状発展の観察 |
| B4 |
重松 幸樹 |
4H-SiCウェハの昇華エッチングにおけるN2ガス背圧による表面平坦化効果の検証 |
| B4 |
田宅 海斗 |
閉じ込め型PVT法を用いた4H-SiCのエピタキシャル成長層におけるNドープ量及び成長膜厚に依存したBPD密度の観察 |
| B4 |
苫名 航 |
レーザー加工を施したSi 基板上へのMBE法を用いたGaAsへテロエピタキシャル成長における多結晶形成の抑制 |
| B4 |
吉本 悠真 |
4H-SiCのレーザー加工プロセスにおいて形成するクラックの高温アニールを用いた低減効果の検証 |