| 影島博之・Shengnan Wang・日比野浩樹「hBN-グラフェンヘテロ構造のCVD成長機構」, 日本結晶成長学会誌 50(1), 50-1-01, (2023年4月) |
| 日比野浩樹「低エネルギー電子顕微鏡による二次元層状物質成長のその場評価」, 表面と真空 62(10), 623-628, (2019年10月) |
| Zhang Guoqiang・俵毅彦・日比野浩樹・後藤秀樹「自己触媒VLS 成長 法による InP/InAs ナノワイヤ ヘテロ構造」, 日本結晶成長学会誌 46(2), 46-2-02, (2019年7月) |
| 日比野浩樹「グラフェンおよび2次元層状物質の成長とその物性」, 応用物理 84(12), 1065-1077, (2015年12月) |
| 日比野浩樹「低エネルギー電子顕微鏡による結晶成長のその場観察」, 日本結晶成長学会誌 42(3), 225-231, (2015年10月) |
| 日比野浩樹・村田祐也「グラフェン成長のその場観察」, NEW DIAMOND 30(2), 28-29, (2014年6月) |
| 関根佳明・日比野浩樹・小栗克也・赤崎達志・影島博之・永瀬雅夫・佐々木健一・山口浩司「SiC上グラフェンの表面増強ラマン散乱」, NTT技術ジャ-ナル 25(6), 22-26, (2013年6月) |
| 日比野浩樹「グラフェン研究への取り組み」, NTT技術ジャ-ナル 25(6), 6-8, (2013年6月) |
| 日比野浩樹・田邉真一「SiCの熱分解によるグラフェン成長」, 材料の科学と工業 50(2), 13-16, (2013年4月) |
| 日比野浩樹・小田原玄樹・本間芳和「電子顕微鏡によるグラフェン成長のその場観察」, 応用物理 82(2), 137-140, (2013年2月) |
| 田中悟・中辻寛・小森文夫・日比野浩樹「エピタキシャルグラフェンの成長と電子物性」, 触媒 54(6), 386-391, (2012年10月) |
| 小田原玄樹・大島忠平・日比野浩樹・本間芳和・大谷茂樹・鈴木雅彦・安江常夫・越川孝範 「超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察」, 表面科学 33(10), 557-562, (2012年10月) |
| 日比野浩樹・高木大輔・本間芳和「Auナノ粒子触媒のサイズに依存したナノカーボン材料成長 」, 表面科学 33(3), 141-146, (2012年3月) |
| 日比野浩樹・田邉真一・影島博之「SiCの熱分解によるグラフェン成長とLEEM評価技術」, ディスプレイ 17(10), 21-26, (2011年10月) |
| 影島博之・日比野浩樹・山口浩司・永瀬雅夫 「SiC(0001)面上エピタキシャルグラフェンの構造と形成」, 電子情報通信学会技術研究報告 111(114), 7-10, (2011年6月) |
| 田中悟・森田康平・日比野浩樹「SiC表面上のエピタキシャルグラフェンの成長」, 表面科学 32(6), 381-386, (2011年6月) |
| 影島博之・日比野浩樹・田邉真一「グラフェン」, 機能材料 31(5), 56-62, (2011年5月) |
| 日比野浩樹・影島博之・田邉真一・永瀬雅夫・水野清義「SiC上エピタキシャルグラフェンの成長と評価」, 固体物理 45(11), 645-655, (2010年11月) |
| 日比野浩樹・田邉真一・影島博之「シリコンカーバイド上に成長したエピタキシャルグラフェン」, NEW DIAMOND 26(4), 23-27, (2010年10月) |
| 影島博之・日比野浩樹・永瀬雅夫・山口浩司「SiC上エピタキシャルグラフェン成長の理論検討」, 日本結晶成長学会誌 37(3), 190-195, (2010年10月) |
| 日比野浩樹・影島博之・永瀬雅夫「シリコンカーバイド上のグラフェン成長」, NTT技術ジャ-ナル 22(6), 18-21, (2010年6月) |
| 日比野浩樹・影島博之・永瀬雅夫「単結晶グラフェン基板の創製に向けたSiC上エピタキシャル少数層グラフェンの層数解析」, 真空 53(2), 101-108, (2010年2月) |
| 日比野浩樹「表面電子顕微鏡法を用いた結晶成長・表面相転移の動的観察」, 顕微鏡 44(2), 149-152, (2009年) |
| 日比野浩樹・舘野功太「ナノワイヤの配列制御に向けた触媒金属の表面原子ステップへの配置」, 表面科学 27(12), 688-694, (2006年12月) |
| 日比野浩樹「LEEMでナノをはかる」, NEW DIAMOND 21(1), 44-46, (2005年1月) |
| 日比野浩樹・C.-W Hu・荻野俊郎・I. S. T. Tsong「低速電子顕微鏡によるSi(111)表面での質量輸送の研究」, 表面科学 23(5), 277-284, (2002年5月) |
| 日比野浩樹・荻野俊郎「Si 双晶超格子」, まてりあ：日本金属学会会報 40(12), 990, (2001年12月) |
| 日比野浩樹・荻野俊郎「Si双晶超格子の作製–新しい結晶構造を持つ単結晶Siの成長」, 固体物理 35(4), 259-268, (2000年4月) |
| 本間芳和・日比野浩樹・国井泰夫・荻野俊郎「Si表面における人工構造物の蒸発による変化」, 表面科学 20(12), 859-864, (1999年12月) |
| 本間芳和・日比野浩樹・荻野俊郎「超高真空走査電子顕微鏡によるSi(111)表面の昇華現象の観察」, 真空 42(2), 79-83, (1999年2月) |
| 荻野俊郎・本間芳和・日比野浩樹・小林慶裕・住友弘二・K. Prabhakaran・尾身博雄 「自己組織化によるSiナノ構造のウェハスケ-ル制御」, 表面科学 19(9), 557-564, (1998年9月) |
| 荻野俊郎・日比野浩樹・本間芳和「シリコン表面の原子ステップ配列制御 -ナノ構造の集積化へ向けて-」, 応用物理 66(12), 1289-1297, (1997年12月) |
| 日比野浩樹「LEEDとRHEED」, 表面技術 48(7), 710-712, (1997年7月) |
| 荻野俊郎・日比野浩樹・本間芳和「Si表面のステップ配列設計とその応用」, 電子情報通信学会技術研究報告 95(205), 29-34, (1995年8月) |
| 本間 芳和・鈴木 峰晴・日比野浩樹・相沢 則行 「2次電子像によるSi(111)表面の(7×7)ドメイン形状観察」, 表面科学 16(7), 415-421, (1995年7月) |
| 日比野浩樹・荻野俊郎「Si(111)表面でのGe固相エピタキシーのSTM観察」, 表面科学 16(2), 113-120, (1995年2月) |
| 篠田幸信・日比野浩樹・小林慶裕・杉井清昌「Si(111)上のGeの成長初期過程」, 表面科学 14(2), 105-112, (1993年2月) |
| 日比野浩樹・篠田幸信・小林慶裕・杉井清昌「Si(111), (100)傾斜表面のRHEEDによる観察」, 表面科学 11, 500-506, (1990年11月) |
