学会発表(ICSCRM 2017)

カテゴリ:お知らせ 

2017年9月25日

金子研究室のメンバーが学会発表を行いました。

  • 学会名:International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2017)
  • 開催日程:2017年9月17日-9月22日
  • 開催地:Washington, D.C. / 米国
    • タイトル:An Application of Si-Vapor Etching to Control the Surface Stability of 4H-SiC (0001) On-Axis Substrate Revealed by LE-ECCI of SEM
    • 発表者:Daichi Dojima, Kazunori Koide, Natsuki Yoshida, Tomoya Ihara, Koji Ashida and Tadaaki Kaneko
    • タイトル:Rearrangement of Surface Structure of 4o Off-Axis 4H-SiC (0001) Epitaxial Wafer by High Temperature Annealing in Si/Ar Ambient
    • 発表者:Koji Ashida, Daichi Dojima, Satoshi Torimi1, Norihito Yabuki1, Yusuke Sudo1, Satoru Nogami1, Makoto Kitabatake1 and Tadaaki Kaneko; 1Toyo Tanso Corporation
    • タイトル:(LATE NEWS) Dislocation-Free Selective Area Growth of SiC on 4H-SiC(0001) Patterned Substrate by Using Metastable Solvent Epitaxy
    • 発表者:Tadaaki Kaneko, R. Watanabe, Koji Ashida, Daichi Dojima, N. Yabuki1, Y. Abe1, Y. Sudo1, S. Nogami1 and M. Kitabatake1;  1Toyo Tanso Corp.

他に、金子研メンバーが関与している発表(主担当は金子研メンバー以外)が2件あります。

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