メンバー

スタッフ

役職 名前
教授 金子 忠昭
研究特別任期制助教 堂島 大地

学生

学年 名前 研究テーマ
D1 戸田 晃平 物理的気相輸送法による基底面転位を低減した4H-SiC高窒素ドープ層の形成
M2 中川 諒一 物理的気相輸送法を用いた4H-SiC基板C面上でのAl添加によるステップバンチングの観察
M2 小津 有詩 温度変調制御による昇華法を用いたAlN/SiC ヘテロ成長界面の制御
M2 団迫 大地 偏光顕微鏡法を用いた単結晶 SiC ウェハ内の歪み領域の検出と薄膜成長後に現れる結晶欠陥の観察
M2 成瀬 二毅 4HSiC(0001) 溶液成長表面に現れるマクロ ステップ形状の温度依存性
M2  牧 瑞穂 物理的気相輸送法を用いた4H-SiC薄膜成長における成長機構の解明と窒素添加効果
M1 角谷 大智 4H-SiCオフ基板の粗加工表面に対する昇華エッチングにおける研削方位に依存した表面形状発展の観察
M1 重松 幸樹 4H-SiCウェハの昇華エッチングにおけるN2ガス背圧による表面平坦化効果の検証
M1 田宅 海斗 閉じ込め型PVT法を用いた4H-SiCのエピタキシャル成長層におけるNドープ量及び成長膜厚に依存したBPD密度の観察
M1 苫名 航 レーザー加工を施したSi 基板上へのMBE法を用いたGaAsへテロエピタキシャル成長における多結晶形成の抑制
M1 吉本 悠真 4H-SiCのレーザー加工プロセスにおいて形成するクラックの高温アニールを用いた低減効果の検証
B4 北奥 航大
B4 桐谷 和弥
B4 田中 達也
B4 丁 世胤
B4 松野 大樹

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