メンバー

スタッフ

役職	名前
教授	金子　忠昭
研究特別任期制助教	堂島　大地

学生

学年	名前	研究テーマ
D1	戸田晃平	物理的気相輸送法による基底面転位を低減した4H-SiC高窒素ドープ層の形成
M2	中川諒一	物理的気相輸送法を用いた4H-SiC基板C面上でのAl添加によるステップバンチングの観察
M2	小津有詩	温度変調制御による昇華法を用いたAlN/SiC ヘテロ成長界面の制御
M2	団迫大地	偏光顕微鏡法を用いた単結晶 SiC ウェハ内の歪み領域の検出と薄膜成長後に現れる結晶欠陥の観察
M2	成瀬二毅	4HSiC(0001) 溶液成長表面に現れるマクロステップ形状の温度依存性
M2	牧瑞穂	物理的気相輸送法を用いた4H-SiC薄膜成長における成長機構の解明と窒素添加効果
M1	角谷大智	4H-SiCオフ基板の粗加工表面に対する昇華エッチングにおける研削方位に依存した表面形状発展の観察
M1	重松幸樹	4H-SiCウェハの昇華エッチングにおけるN2ガス背圧による表面平坦化効果の検証
M1	田宅海斗	閉じ込め型PVT法を用いた4H-SiCのエピタキシャル成長層におけるNドープ量及び成長膜厚に依存したBPD密度の観察
M1	苫名航	レーザー加工を施したSi 基板上へのMBE法を用いたGaAsへテロエピタキシャル成長における多結晶形成の抑制
M1	吉本悠真	4H-SiCのレーザー加工プロセスにおいて形成するクラックの高温アニールを用いた低減効果の検証
B4	北奥航大
B4	桐谷和弥
B4	田中達也
B4	丁世胤
B4	松野大樹