メンバー

スタッフ

役職	名前
教授	金子　忠昭
助教	堂島　大地

学生

学年	名前	研究テーマ
D3	戸田晃平	物理的気相輸送法による基底面転位を低減した4H-SiC高窒素ドープ層の形成
M2	苫名航	レーザー加工を施したSi 基板上へのMBE法を用いたGaAsへテロエピタキシャル成長における多結晶形成の抑制
M2	北奥航大	近接昇華エッチング法を用いた4H-SiC表面ステップ分解機構の観察
M2	桐谷和弥	非接触SiCウェハ表面改質プロセスを用いたCMP加工代替技術の開発
M2	田中達也	ラマン分光法を用いた6インチSiCバルクウェハ内の歪み解析
M2	津名龍一郎	半絶縁性AlN基板の横方向破壊電界の評価
M2	丁世胤	4H-SiCバルクウエハ内の高密度欠陥領域におけるエピタキシャル成長層の結晶欠陥観察
M2	松野大樹	ヘテロエピタキシャル成長時の安定化ファセット面の形成と転位伝播方位の観察
M1	石村太一	4H-SiCバルクウェハの残留加工歪みに依存したフォトルミネッセンスの励起スペクトル観察
M1	伊藤駿	AlN-SiC熱平衡環境を用いて4H-SiC(0001)基板に形成されるファセットの熱的安定性
M1	奥田風輝	熱昇華エッチングを用いた4H-SiC(0001)4ºオフ基板表面でのマクロステップ分解機構の観察
M1	近藤晴土	6inch 4H-SiCウェハに残存する機械加工由来の歪み分布とエピタキシャル成長時に形成される積層欠陥密度分布との比較
M1	前嶋彩花	4H-SiC(0001)4ºオフ基板表面に形成された巨大ファセット構造の破壊とミクロステップ配列への再安定化
B4	江藤奨記
B4	小椋智矢
B4	岸本理央
B4	田中幸介
B4	田中響貴
B4	前田理玖