近年、数MeV以下の比較的低エネルギーのイオン照射を用いて臨界電流特性を向上させる技術の開発が進められている。 本稿では、最も軽いプロトンを照射した鉄カルコゲナイドFeSe0.5Te0.5超伝導薄膜の臨界電流密度の角度依存性について報告した。