Siを蒸着したエピタキシャルグラフェンが加熱中にどう構造変化するかを調べた論文がPhysical Review Materialsに出版されました。島根大学との共同研究の成果です。

H. Hibino and H. Kageshima, “Carbonization-driven motion of Si islands on epitaxial graphene,” Phys. Rev. Mater. 7, 054003 (2023).