M1の福家さんの成果がJJAP Rapid Communicationに出版されました。量子科学技術研究開発機構の佐々木拓夫主幹研究員、高橋正光上席研究員との共同研究の成果です。

S. Fuke, T. Sasaki, M. Takahasi, and H. Hibino, “In-situ X-ray diffraction analysis of GaN growth on graphene-covered amorphous substrates,” Jpn. J. Appl. Phys. 59, 070902 (2020).