卒業生の伊澤卓人君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました（岡野ひろ乃さん、森田真太郎君が共著者です）。タイトルは、”Influence of the facet trace region in 4HSiC substrate on the glide and propagation behaviors of basal plane dislocations in 4HSiC homoepitaxial layers”です。

https://doi.org/10.1063/5.0057627