研究業績

  • M2の淀美香子さんが2021年10月にフランストゥールで開催されたEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2021 (ECSCRM2021)で招待講演(Invited Poster)を行いました。講演のタイトルは「Seed surface orientation dependence of the dislocation formation at the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals」です。https://www.ecscrm-2020.com/invited-posters

  

  

  

  • 卒業生の伊澤卓人君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました(岡野ひろ乃さん、森田真太郎君が共著者です)。https://doi.org/10.1063/5.0057627

  

  

  • 卒業生の品川直登君の論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました(伊澤卓人君、眞鍋杜野君、矢持剛君が共著者です)。https://doi.org/10.35848/1347-4065/abab46

  

  • 卒業生の島田華奈さんの論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました(浅田幹太君、淀美香子さんが共著者です)。この論文はJournal of Applied PhysicsのFeatured Articleに選出されました。https://doi.org/10.1063/5.0007219

  

  • 卒業生の横本海斗君、塩浦健太郎君の論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました(藪雅博君、中野正隆君が共著者です)。https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab8758

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  

  • M2の高橋達也君が2014年9月にフランスグルノーブルで開催されたEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)で招待講演(Invited Poster)を行いました。講演のタイトルは「Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals」です。

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