• M1の井上湧太君の論文がMaterials Science in Semiconductor Processingに掲載されました（栃崎渉君、岩井俊達君、田邉一義君が共著者です）。https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108266

 

• 卒業生の太田拓斗君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました（浅野俊介君、井上湧太君が共著者です）。https://doi.org/10.1063/5.0156457

 

• 卒業生の淀美香子さんの論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました（中井朝陽君、田村駿伍君が共著者です）。https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126856

 

• 卒業生の橋口貴斗君の論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました（太田拓斗君、浅野俊介君が共著者です）。https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac829c

 

• M2の淀美香子さんが2021年10月にフランストゥールで開催されたEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2021 (ECSCRM2021)で招待講演（Invited Poster）を行いました。講演のタイトルは「Seed surface orientation dependence of the dislocation formation at the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals」です。https://www.ecscrm-2020.com/invited-posters

　　

• 大谷昇教授が、University of Erlangen-NürnbergのProf. Peter Wellmann, Infineon Technologies のDr. Roland Ruppと編著した書籍がWiley-VCHから出版されました。https://onlinelibrary.wiley.com/doi/book/10.1002/9783527824724

  

• 卒業生の新家宏明君の論文がMaterialsに掲載されました（中野正隆君が共著者です）。https://doi.org/10.3390/ma14226816

　　

• 卒業生の伊澤卓人君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました（岡野ひろ乃さん、森田真太郎君が共著者です）。https://doi.org/10.1063/5.0057627

　　

• 卒業生の横本海斗君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました（藪雅博君、橋口貴斗君が共著者です）。https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/5.0009784

　　

• 卒業生の品川直登君の論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました（伊澤卓人君、眞鍋杜野君、矢持剛君が共著者です）。https://doi.org/10.35848/1347-4065/abab46

　　

• 卒業生の島田華奈さんの論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました（浅田幹太君、淀美香子さんが共著者です）。この論文はJournal of Applied PhysicsのFeatured Articleに選出されました。https://doi.org/10.1063/5.0007219

　　

• 卒業生の横本海斗君、塩浦健太郎君の論文がJapanese Journal of Applied Physicsに掲載されました（藪雅博君、中野正隆君が共著者です）。https://doi.org/10.35848/1347-4065/ab8758

　　

• 卒業生の中野貴博君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました（品川直登君、藪雅博君が共著者です）。https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.03.027

　　

• 卒業生の塩浦健太郎君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました（品川直登君、伊澤卓人君が共著者です）。https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.03.015

　　

• 万年結奈さん、島田華奈さん、浅田幹太君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました。https://doi.org/10.1063/1.5074150

　　

• 大谷昇教授が、University of Grenoble AlpesのProf. Didier Chaussendeと共著した書籍がElsevierから出版されました。https://www.elsevier.com/books/single-crystals-of-electronic-materials/fornari/978-0-08-102096-8

　　

• 卒業生の園田将司君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました（中野貴博君、塩浦健太郎君、品川直登君が共著者です）。https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.07.029

　　

• 万年結奈さん、島田華奈さん、卒業生の谷口智郷さんの論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました。https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.06.029

　　

• 卒業生の松本奈々さんの論文がMaterials Science Forumに掲載されました。https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.19

　　

• 卒業生の園田将司君の論文がMaterials Science Forumに掲載されました。https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.15

　　

• 卒業生の大川貴代さんの論文がMaterials Science Forumに掲載されました。https://doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.924.293

　　

• 卒業生の大友浩平君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました。https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.09.008

　　

• 卒業生の田淵裕基君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました。http://dx.doi.org/10.1063/1.4999480

　　

• 卒業生の福永大輔君の仕事がMaterials Science Forumに掲載されました。 doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.897.283

　　

• 卒業生の田淵裕基君の仕事がMaterials Science Forumに掲載されました。 doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.897.205

　　

• 卒業生の大友浩平君の仕事がMaterials Science Forumに掲載されました。 doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.897.189

　　

• 卒業生の寺元麗人君の仕事がMaterials Science Forumに掲載されました。 doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.858.53

　　

• 卒業生の谷口智郷さん、一村愛子さんの仕事がMaterials Science Forumに掲載されました。 doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.858.109

　　

• 卒業生の谷口智郷さん、一村愛子さんの仕事がJournal of Applied Physicsに掲載されました。 http://dx.doi.org/10.1063/1.4945773

　　

• 卒業生の山口知希君の仕事がJournal of Crystal Growthに掲載されました。doi:10.1016/j.jcrysgro.2015.09.002

　　

• 卒業生の高橋達也君の仕事がMaterial Science Forumに掲載されました。 doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.90

　　

• 卒業生の山口知希君の仕事がMaterial Science Forumに掲載されました。 doi:10.4028/www.scientific.net/MSF.821-823.64

　　

• M2の高橋達也君が2014年9月にフランスグルノーブルで開催されたEuropean Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014 (ECSCRM2014)で招待講演（Invited Poster）を行いました。講演のタイトルは「Structural and electrical characterization of the initial stage of physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals」です。

• 卒業生の大重周史君の仕事がJournal of Crystal Growth に掲載されました。doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.09.012