卒業生の太田拓斗君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました（浅野俊介君、井上湧太君が共著者です）。タイトルは、”Experimental and simulation studies of surface segregation-limited nitrogen incorporation at the growth front of physical vapor transport-grown 4H-SiC crystals”です。

https://doi.org/10.1063/5.0156457