M1の井上湧太君の論文がMaterials Science in Semiconductor Processingに掲載されました（栃崎渉君、岩井俊達君、田邉一義君が共著者です）。タイトルは、”Nitrogen doping concentration dependence of nitrogen incorporation
kinetics during physical vapor transport growth of 4H–SiC crystals”です。

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108266