卒業生の塩浦健太郎君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました(品川直登君、伊澤卓人君が共著者です)。タイトルは、”Structural characterization of the grown crystal/seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals using Raman microscopy and x-ray topography”です。
卒業生の塩浦健太郎君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました(品川直登君、伊澤卓人君が共著者です)。タイトルは、”Structural characterization of the grown crystal/seed interface of physical vapor transport grown 4H-SiC crystals using Raman microscopy and x-ray topography”です。
Copyright © School of Engineering,Kwansei Gakuin University. All Rights reserved.