大学院国際修士課程2年生のHaさんが、”Solution-processed In-Si-O thin film transistor fabricated via spin-coating method”に関する研究で仁田記念賞^*を受賞しました。
おめでとうございます。今後の一層の活躍を祈念します。
　
* 仁田記念賞は、学会発表や論文などによって優れた研究成果が認められた大学院生に授与される賞です。
　仁田記念賞の詳細については、“理工学部の公式説明をご覧ください。

　

仁田記念賞ですが、記念撮影はランバス初代院長の肖像レリーフの前で