メンバー

スタッフ

役職	名前
教授	金子　忠昭

学生

学年	名前	研究テーマ
D3	戸田晃平	物理的気相輸送法による基底面転位を低減した4H-SiC高窒素ドープ層の形成
M2	石村太一	4H-SiCバルクウェハの残留加工歪みに依存したフォトルミネッセンスの励起スペクトル観察
M2	伊藤駿	AlN-SiC熱平衡環境を用いて4H-SiC(0001)基板に形成されるファセットの熱的安定性
M2	奥田風輝	熱昇華エッチングを用いた4H-SiC(0001)4ºオフ基板表面でのマクロステップ分解機構の観察
M2	近藤晴土	6inch 4H-SiCウェハに残存する機械加工由来の歪み分布とエピタキシャル成長時に形成される積層欠陥密度分布との比較
M2	前嶋彩花	4H-SiC(0001)4ºオフ基板表面に形成された巨大ファセット構造の破壊とミクロステップ配列への再安定化
M1	江藤奨記	近接昇華エッチング法を用いたSiCウェハ裏面における加工ダメージ除去効果の検証
M1	小椋智矢	レーザー光散乱法を用いたSiC表面ラフネス評価～ウェーハ表面上のマクロステップ領域の観察～
M1	岸本理央	4H-SiC(0001)巨大ステップの分解と平坦化のための表面炭化プロセスの導入と効果検証
M1	田中幸介	大面積4H-SiCウェハ形状制御のための裏面エピタキシャル成長層形成と窒素ドープ量依存性の観察
M1	田中響貴	4H-SiC近接昇華エッチング過程で現れる三角状欠陥の観察と生成原因の解明
M1	前田理玖	近接昇華エッチングを用いた4H-SiC(0001)表面でのステップ分解機構と温度依存性の検証
B4	梶井祐大
B4	髙﨑裕也
B4	田原匠
B4	寺嶋一翔
B4	深谷英輝
B4	山崎大地