卒業生の谷口智郷さん、一村愛子さんの論文が、Jouranl of Applied Physicsに掲載されました。論文のタイトルは”Theoretical Investigation of the formation of basal plane stacking faults in heavily nitrogen-doped 4H-SiC crystals”です。

http://dx.doi.org/10.1063/1.4945773