卒業生の大友浩平君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました。タイトルは、”Formation of basal plane stacking faults on the (000-1) facet of heavily nitrogen-doped 4H-SiC single crystals during physical vapor transport growth”です。

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2017.09.008