万年結奈さん、島田華奈さん、浅田幹太君の論文がJournal of Applied Physicsに掲載されました。タイトルは、”Quantum well action model for the formation of a single Shockley stacking fault in a 4H-SiC crystal under non-equilibrium conditions”です。

https://doi.org/10.1063/1.5074150