卒業生の中野貴博君の論文がJournal of Crystal Growthに掲載されました（品川直登君、藪雅博君が共著者です）。タイトルは、”Formation and multiplication of basal plane dislocations during physical vapor transport growth of 4H-SiC crystals”です。

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2019.03.027