メンバー

㈱村田製作所2名スタッフ

役職 名前 連絡先
教授 鹿田 真一 SShikata★kwansei.ac.jp

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学生

学年 名前 研究テーマ

18B 20M2

宮嶋孝輔

見方尚輝

卒論 “エピタキシャル膜起因のCLバンドA発光欠陥の同定”

卒論 “ダイヤモンド結晶欠陥及び成長丘のデバイス特性に及ぼす影響評価”

19B 20M1 土屋 俊貴

 

佐藤雄哉

稲田 力

岡崎 雅哉

黒松 大暉

奈良 佳樹

竹内 茉莉花

卒論“ダイヤモンドSAWデバイスにおけるScAlN圧電薄膜評価”

 

卒論“X線トポグラフィによるCVDダイヤモンドの欠陥解析”

卒論“ダイヤモンド結晶欠陥のデバイスに及ぼす影響評価”

卒論“ハーフミクロン微細加工による高周波SAWデバイス試作“

卒論“NVセンターによるダイヤモンド薄膜成長時の欠陥観察”

卒論“ダイヤモンドのエピタキシャル成長膜欠陥がデバイス特性に及ぼす影響評価”

卒論“同位体組成制御した立方晶窒化ホウ素(cBN)の光学特性評価”

20B
畑下昂平

安岡幹貴

藤井勇気

池野敬太

植田悠馬

 

卒業生

年度 名前 研究テーマ
15B17M 土田有記
山口浩司
亀井栄一
修論 “ラマン分光法による高濃度ドーピングダイヤモンド結晶の評価”
修論 “ダイヤモンドの種結晶とエピタキシャル膜の結晶歪と欠陥評価”
修論 “X線トポグラフィによるダイヤモンドHPHT単結晶の欠陥評価”
16B 高橋裕之 卒論 “絶縁性ダイヤモンド種結晶のX線トポグラフィ解析”
17B 松山悠夏
藤巻菜奈子
卒論 “X線トポグラフィによるダイヤモンドエピ成長に関する欠陥評価”

卒論 “ダイヤモンド結晶欠陥・微小角粒界のデバイス特性に及ぼす影響評価”

16B18M

松下晃生

明石直也

塚原隆太

修論 ”電子線後方散乱回折法によるダイヤモンド結晶の配向性評価”
修論 ”ダイヤモンド結晶転位の縦型デバイス特性に及ぼす影響評価”
修論 “ダイヤモンドの点欠陥NVセンターと結晶欠陥に関する研究”
 19B 廣畑航希  卒論”HPHT成長結晶ダイヤモンドにおける転位の特徴と密度”
 17B19M 河田 快

小林 勇介

松岡 実李

修論“禁制反射を用いたダイヤモンドの結晶性評価”

修論“ScAlN/ダイヤモンドSAWデバイスの作製・評価”

修論“ラマン分光法によるn型リンドープダイヤモンドの結晶評価”

進路

<エレクトロニクス> 富士電機㈱3名、三菱電機㈱3名、㈱村田製作所2名、京セラ㈱1名

<機械>  ㈱スクリーンH1名

<自動車> ㈱デンソー1名、矢崎総業㈱1名、㈱ジェイテクト1

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