| 役職 | 名前 | 連絡先 |
|---|---|---|
| 教授 | 鹿田 真一 | SShikata★kwansei.ac.jp
（★を@に置き換えてください） |
学生
| 学年 | 名前 | 研究テーマ |
|---|---|---|
| 20B22M2 | 畑下昂平
安岡幹貴 藤井勇気 |
卒論 “ScAlN/多結晶ダイヤモンドを用いた4GHz SAWデバイス試作”
卒論 “基板表面状態がダイヤモンド縦型デバイスに及ぼす影響” 卒論 “CVDによるダイヤモンドエピタキシャル薄膜の転位解析” |
| 22B4 | 菅本 藍
中野 真梨 河上 柊弥 石井 万里野 |
卒業生
| 年度 | 名前 | 研究テーマ |
|---|---|---|
| 15B17M | 土田有記 山口浩司 亀井栄一 |
修論 “ラマン分光法による高濃度ドーピングダイヤモンド結晶の評価” 修論 “ダイヤモンドの種結晶とエピタキシャル膜の結晶歪と欠陥評価” 修論 “X線トポグラフィによるダイヤモンドHPHT単結晶の欠陥評価” |
| 16B | 高橋裕之 | 卒論 “絶縁性ダイヤモンド種結晶のX線トポグラフィ解析” |
| 17B | 松山悠夏 藤巻菜奈子 |
卒論 “X線トポグラフィによるダイヤモンドエピ成長に関する欠陥評価”
卒論 “ダイヤモンド結晶欠陥・微小角粒界のデバイス特性に及ぼす影響評価” |
| 16B18M | 松下晃生
明石直也 塚原隆太 |
修論 ”電子線後方散乱回折法によるダイヤモンド結晶の配向性評価” 修論 ”ダイヤモンド結晶転位の縦型デバイス特性に及ぼす影響評価” 修論 “ダイヤモンドの点欠陥ＮＶセンターと結晶欠陥に関する研究” |
| 19B | 廣畑航希 | 卒論”HPHT成長結晶ダイヤモンドにおける転位の特徴と密度” |
| 17B19M | 河田 快 小林 勇介 松岡 実李 |
修論“禁制反射を用いたダイヤモンドの結晶性評価” 修論“ScAlN/ダイヤモンドSAWデバイスの作製・評価 ”修論“ラマン分光法によるn型リンドープダイヤモンドの結晶評価” |
| 18B20M | 宮嶋 孝輔
見方 尚輝 |
修論 “X線トポグラフィによるダイヤモンド単結晶のBandA欠陥同定”
修論 “ダイヤモンド結晶転位が縦型デバイス特性に及ぼす影響評価” |
| 20B | 池野 敬太
植田 悠馬 |
卒論 “ダイヤモンドX線トポグラフィ像における転位長解析”
卒論 “p+ HPHT種結晶ダイヤモンドの欠陥成長解析” |
| 19B
21M2 |
土屋 俊貴
佐藤雄哉 稲田 力 岡崎 雅哉 黒松 大暉 奈良 佳樹 竹内 茉莉花 |
ScAlN/多結晶ダイヤ構造高周波弾性表面波デバイス
X線トポグラフィを用いた単結晶ダイヤモンドの転位解析 ダイヤモンド表面処理の転位・デバイスに及ぼす影響 ScAlN/ダイヤモンド高周波弾性表面波デバイス 化学気相合成ダイヤモンド結晶転位のNVセンターを用いた評価 ダイヤモンドSBDの特性評価 ワイドギャップ半導体のラマン分光による評価 |
| 21B | 坪倉拓夢
中村あみ 外山 正悟 |
Ｘ線トポグラフィとカソードルミネッセンスを用いたダイヤモンド
単結晶の欠陥解析 X線トポグラフィ像における転位の深さ解析 UVアシスト研磨を用いたエピ膜の表面欠陥低減 |
進路
<エレクトロニクス>
三菱電機㈱６名、富士電機㈱5名、㈱村田製作所５名、京セラ㈱１名
<機械>
(株)スクリーンH1名、デンヨー(株)1名
<自動車>
(株)デンソー1名、矢崎総業(株)1名、(株)ジェイテクト1名、デンソーテン㈱２名
<通信>
住友電気工業㈱１名
