アモルファス酸化物半導体の研究成果が論文掲載されました
物質・材料研究機構(NIMS)国際ナノアーキテクトニクス研究拠点(MANA)の塚越グループとの共同研究の成果
“Dopant selection for control of charge carrier density and mobility in amorphous indium oxide thin-film transistors: Comparison between Si- and W-dopants”
がAppl. Phys. Lett.に掲載されました。
