研究業績
Applied Physics Expressに論文が掲載されました。CO2雰囲気中での熱処理がSiC MOS特性の改善に効果的であることを報告しています。不活性なCO2ガスでも超高温だとSiCが酸化されるって不思議ですよね。
"High-temperature CO2 treatment for improving electrical characteristics of 4H-SiC(0001) metal-oxide-semiconductor devices"
Takuji Hosoi, Momoe, Ohsako, Takayoshi Shimura, and Heiji Watanabe
Applied Physics Express, vol.14(10), 101001 (2021).
