研究業績

Applied Physics Expressに論文が掲載されました。神戸大学・小野研究室との共同研究の成果で、SiO₂/SiC界面の原子レベルステップがSiC MOSFETの反転層可動電子密度減少につながること、NO窒化処理によりその影響を緩和できることを報告しています。 "Density functional theory study on the effect of NO annealing for SiC(0001) surface with atomic-scale steps," Mitsuharu Uemoto, Nahoto Funaki, Kazuma Yokota, Takuji Hosoi, and Tomoya Ono Applied Physics Express, vol.17(1), 011009 (2024).

2024.01.25.Thu

Applied Physics Expressに論文が掲載されました。神戸大学・小野研究室との共同研究の成果で、SiO2/SiC界…
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2023.11.07.Tue

2023年10月26日に名古屋大学・ES総合館で開催された先進パワー半導体分科会第26回研究会「いまさら聞けな…
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2023.11.07.Tue

2023年9月17~22日にイタリア・ソレントで開催された International Conference on Silicon Carbide and R…
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2023.06.28.Wed

広島大学・ナノデバイス研究センターで開催された電子情報通信学会シリコン材料・デバイス（SDM）研究専…
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2023.03.27.Mon

上智大学・四ツ谷キャンパスで開催された第70回応用物理学会春季学術講演会（2023年3月15~18日）にて成果…
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2023.01.25.Wed

2023年1月15-19日に米国・ロサンゼルスで開催された48th Conference on the Physics and Chemistry of Su…
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2022.10.20.Thu

2022年10月19日にオンライン開催された電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティシリコン材料・…
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2022.10.07.Fri

東北大学・川内北キャンパスで開催された第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月20~23日）にて出口…
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2022.10.07.Fri

2022年9月11-16日にスイス・ダボスで開催された19th International Conference on Silicon Carbide and R…
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2022.05.25.Wed

Applied Physics Expressに論文が掲載されました。昨年出版されたの高温CO2熱処理の続報で、NO窒化処理とC…
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