研究業績
2023年1月15-19日に米国・ロサンゼルスで開催された48th Conference on the Physics and Chemistry of Surfaces and Interfaces (PCSI-48)にて細井が以下の招待講演を行いました。
“Challenges in SiO2/SiC interface engineering for SiC power MOSFETs”
T. Hosoi, T. Shimura, H. Watanabe
2023.01.25.Wed
2023年1月15-19日に米国・ロサンゼルスで開催された48th Conference on the Physics and Chemistry of Su…
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2022.10.20.Thu
2022年10月19日にオンライン開催された電子情報通信学会 エレクトロニクス ソサイエティ シリコン材料・…
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2022.10.07.Fri
東北大学・川内北キャンパスで開催された第83回応用物理学会秋季学術講演会（2022年9月20~23日）にて出口…
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2022.10.07.Fri
2022年9月11-16日にスイス・ダボスで開催された19th International Conference on Silicon Carbide and R…
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2022.05.25.Wed
Applied Physics Expressに論文が掲載されました。昨年出版されたの高温CO2熱処理の続報で、NO窒化処理とC…
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2021.09.22.Wed
Applied Physics Expressに論文が掲載されました。CO2雰囲気中での熱処理がSiC MOS特性の改善に効果的であ…
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2021.06.05.Sat
2021年6月1日~5日にオンライン開催された国際会議Thermec'2021にて"Control of SiO2/SiC Interface for Si…
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